SI3529DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3529DV-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 2.5A，1.95A 1.4W 表面贴装型 6-TSOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3590DV-GE3

SI3529DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.15 W

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 205pF @20VVds

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI3529DV-T1-GE3

型号： SI3529DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP