SI4561DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4561DY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 6.8A，7.2A 3W，3.3W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET 40V 6.8/7.2A 35.5/35mohm @ 10V

SI4561DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 640pF @20VVds

额定功率Max 3W, 3.3W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4561DY-T1-E3

型号： SI4561DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

替代型号SI4561DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4561DY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4561DY-T1-E3和SI4599DY-T1-GE3的区别

型号/品牌

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Vishay Siliconix

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