SI7925DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7925DN-T1-GE3概述

MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

贸泽:
MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V

SI7925DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7925DN-T1-GE3

型号： SI7925DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V

替代型号SI7925DN-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7925DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI7925DN-T1-GE3和SI7913DN-T1-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI7925DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SI7913DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替