SI5947DU-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5947DU-T1-GE3概述

MOSFET 20V 6A 10.4W

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 6A 10.4W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

贸泽:
MOSFET 20V 6.0A 10.4W

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET

SI5947DU-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -6.00 A

输入电容Ciss 480pF @10VVds

额定功率Max 10.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPak-8

外形尺寸

封装 PowerPak-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5947DU-T1-GE3

型号： SI5947DU-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 6A 10.4W

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