SI7222DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7222DN-T1-GE3概述

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 40V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK

SI7222DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电容Ciss 700pF @20VVds

额定功率Max 17.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7222DN-T1-GE3

型号： SI7222DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

替代型号SI7222DN-T1-GE3