SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3图片1
SI7960DP-T1-GE3概述

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8Pin PowerPAK SO T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC


SI7960DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7960DP-T1-GE3
型号: SI7960DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8Pin PowerPAK SO T/R
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SI7960DP-T1-GE3和SI7960DP-T1-E3的区别

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