SI7844DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7844DP-T1-GE3概述

MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

SI7844DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7844DP-T1-GE3

型号： SI7844DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

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