SI4330DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4330DY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 8.7A 3W 16.5mohm @ 10V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6.6A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET 30V 8.7A 3.0W 16.5mohm @ 10V

SI4330DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4330DY-T1-GE3

型号： SI4330DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 8.7A 3W 16.5mohm @ 10V