SQJ941EP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQJ941EP-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 8A 55W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

SQJ941EP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 55 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1800pF @10VVds

额定功率Max 55 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SQJ941EP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8