SI4830ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4830ADY-T1-GE3概述

MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4830ADY-T1-GE3

型号： SI4830ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

替代型号SI4830ADY-T1-GE3