SI5915DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5915DC-T1-E3概述

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 8V 3.4A 1.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5935CDC-T1-GE3

SI5915DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 8 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5915DC-T1-E3

型号： SI5915DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

替代型号SI5915DC-T1-E3

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