SI4967DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4967DY-T1-GE3概述

MOSFET 12V 7.5A 2W 23mohm @ 4.5V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V - 2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

贸泽:
MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V

SI4967DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4967DY-T1-GE3

型号： SI4967DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 7.5A 2W 23mohm @ 4.5V