SI6943BDQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6943BDQ-T1-GE3概述

MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3

SI6943BDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids -2.50 A

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6943BDQ-T1-GE3

型号： SI6943BDQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

替代型号SI6943BDQ-T1-GE3

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代替类型

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