SI9936BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI9936BDY-T1-GE3概述

MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 4.5A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

SI9936BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 52 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A, 6.00 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9936BDY-T1-GE3

型号： SI9936BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

替代型号SI9936BDY-T1-GE3