SI5935DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5935DC-T1-E3概述

MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5935CDC-T1-GE3

SI5935DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel, Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.10 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5935DC-T1-E3

型号： SI5935DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 3A 1206-8

替代型号SI5935DC-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI5935DC-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI5935DC-T1-E3和SI5935CDC-T1-GE3的区别

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