SI6969BDQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6969BDQ-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

SI6969BDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids -4.60 A

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6969BDQ-T1-GE3

型号： SI6969BDQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP

替代型号SI6969BDQ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6969BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI6969BDQ-T1-GE3和SI6913DQ-T1-GE3的区别

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