SI7909DN-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7909DN-T1-E3概述

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

SI7909DN-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7909DN-T1-E3

型号： SI7909DN-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

替代型号SI7909DN-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7909DN-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI7909DN-T1-E3和SI7913DN-T1-GE3的区别

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