SI5943DU-T1-GE3概述
MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 6A 8.3W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
贸泽:
MOSFET 12V 6.0A 8.3W 64mohm @ 4.5V
SI5943DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel, P-Channel
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids -6.00 A
输入电容Ciss 460pF @6VVds
额定功率Max 8.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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