MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 5.8A 1.1W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
贸泽:
MOSFET P-CHANNEL 25V
漏源极电阻 0.029 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
热阻 85℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI4923DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI4973DY-T1-E3和SI4923DY-T1-GE3的区别 |
SI4973DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI4973DY-T1-E3和SI4973DY-T1-GE3的区别 |
ZXMP3A17DN8TA 美台 | 功能相似 | SI4973DY-T1-E3和ZXMP3A17DN8TA的区别 |