SI6969DQ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6969DQ-T1-E3概述

MOSFET 12V 4.6A 1.1W

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 1.1W Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP

贸泽:
MOSFET 12V 4.6A 1.1W

SI6969DQ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 34.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.10 W

漏源极电压Vds 12 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -4.60 A to 4.60 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6969DQ-T1-E3

型号： SI6969DQ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 4.6A 1.1W

替代型号SI6969DQ-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6969DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI6969DQ-T1-E3和SI6913DQ-T1-GE3的区别

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Vishay Siliconix

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