MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.20 A
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
封装 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 完全替代 | SI5904DC-T1-E3和SI5904DC-T1-GE3的区别 |