SI7501DN-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7501DN-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道，共漏 30V 5.4A，4.5A 1.6W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8

SI7501DN-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7501DN-T1-E3

型号： SI7501DN-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

替代型号SI7501DN-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI7501DN-T1-E3和SI7501DN-T1-GE3的区别

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