SI7948DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7948DP-T1-GE3概述

MOSFET Dual N-Ch 60V 75mohm @ 10V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 3A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

SI7948DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.60 A

上升时间 8 ns

额定功率Max 1.4 W

下降时间 8 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7948DP-T1-GE3

型号： SI7948DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET Dual N-Ch 60V 75mohm @ 10V