SI7842DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7842DP-T1-E3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.3A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR770DP-T1-GE3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R

DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

SI7842DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.40 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.30 A

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7842DP-T1-E3

型号： SI7842DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/R

替代型号SI7842DP-T1-E3