SIA911EDJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA911EDJ-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

SIA911EDJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.50 A

额定功率Max 7.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA911EDJ-T1-GE3

型号： SIA911EDJ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

替代型号SIA911EDJ-T1-GE3

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