SI4569DY-T1-E3

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SI4569DY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.6A, 7.9A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4564DY-T1-GE3


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC


SI4569DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 855pF @20VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4569DY-T1-E3
型号: SI4569DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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SI4569DY-T1-E3和SI4569DY-T1-GE3的区别

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