SI1563EDH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1563EDH-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 1.13A，880mA 570mW 表面贴装型 SC-70-6

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

贸泽:
MOSFET

SI1563EDH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 570 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1563EDH-T1-GE3

型号： SI1563EDH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

替代型号SI1563EDH-T1-GE3