SI5517DU-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5517DU-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

贸泽:
MOSFET N-AND P-CH 20VD-S

SI5517DU-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 8.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5517DU-T1-E3

型号： SI5517DU-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET