SIA511DJ-T1-GE3概述
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 12V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
得捷:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
SIA511DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 6.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 400pF @6VVds
额定功率Max 6.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIA511DJ-T1-GE3