SI7844DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7844DP-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.4A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 30V 10A 3.5W

DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

SI7844DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

耗散功率 1.4 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

热阻 60℃/W RθJA

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.07 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买SI7844DP-T1-E3

型号： SI7844DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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