SI8904EDB-T2-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8904EDB-T2-E1概述

MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 30V 3.8A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ 2.36x1.56

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP

贸泽:
MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V

SI8904EDB-T2-E1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Micro-6

外形尺寸

封装 Micro-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8904EDB-T2-E1

型号： SI8904EDB-T2-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V