SI8901EDB-T2-E1

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SI8901EDB-T2-E1概述

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP

Mosfet Array 2 P-Channel Dual Common Drain 20V 3.5A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ 2.36x1.56


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP


贸泽:
MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V


DeviceMart:
MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP


SI8901EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Micro-6

外形尺寸

长度 2.36 mm

宽度 1.56 mm

高度 0.6 mm

封装 Micro-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8901EDB-T2-E1
型号: SI8901EDB-T2-E1
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP

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