SI1034X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1034X-T1-E3概述

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 5Ω; ID 180mA; SC-89 SOT-490; PD 0.25W1/4W

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 180mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F

SI1034X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±5.00 V

连续漏极电流Ids 200 mA

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1034X-T1-E3

型号： SI1034X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 5Ω; ID 180mA; SC-89 SOT-490; PD 0.25W1/4W

替代型号SI1034X-T1-E3