SI6928DQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6928DQ-T1-GE3概述

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 4A 1W 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP

贸泽:
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V

SI6928DQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6928DQ-T1-GE3

型号： SI6928DQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V

替代型号SI6928DQ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6928DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI6928DQ-T1-GE3和SI6928DQ-T1-E3的区别
SI6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI6928DQ-T1-GE3和SI6954ADQ-T1-E3的区别
SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI6928DQ-T1-GE3和SI6954ADQ-T1-GE3的区别