SI7911DN-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7911DN-T1-E3概述

MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 4.2A 1.3W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

DeviceMart:
MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8

SI7911DN-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -5.70 A

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7911DN-T1-E3

型号： SI7911DN-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8

替代型号SI7911DN-T1-E3