SI5920DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5920DC-T1-E3概述

MOSFET 8V 4A 3.12W

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

贸泽:
MOSFET 8.0V 4.0A 3.12W

AMEYA360:
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

SI5920DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

输入电容Ciss 680pF @4VVds

额定功率Max 3.12 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5920DC-T1-E3

型号： SI5920DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 8V 4A 3.12W