MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2A，1.5A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Allied Electronics:
MOSFET; DUAL; 20V; 2.4/1.8A; TSOP-6
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 830 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
热阻 130℃/W RθJA
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3.1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI3585DV-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI3585DV-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI3585DV-T1-E3和SI3585DV-T1-GE3的区别 |