SI1988DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1988DH-T1-E3概述

MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

SI1988DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1988DH-T1-E3

型号： SI1988DH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

替代型号SI1988DH-T1-E3