SI3951DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3951DV-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 2.7A 2W 表面贴装型 6-TSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3993CDV-T1-GE3

SI3951DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -2.70 A

输入电容Ciss 250pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3951DV-T1-E3

型号： SI3951DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP

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