SI3911DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI3911DV-T1-E3图片1

SI3911DV-T1-E3图片2

SI3911DV-T1-E3图片3

SI3911DV-T1-E3图片4

SI3911DV-T1-E3图片5

SI3911DV-T1-E3概述

Transistor MOSFET P-CH 20V 1.8A 6Pin TSOP T/R

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 1.8A 830mW 表面贴装型 6-TSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP

SI3911DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 145 mΩ

极性 Dual P-Channel

耗散功率 830 mW

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -2.20 A

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3911DV-T1-E3

型号： SI3911DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Transistor MOSFET P-CH 20V 1.8A 6Pin TSOP T/R

替代型号SI3911DV-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI3911DV-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI3993DV-T1-E3

Vishay Siliconix

类似代替

SI3911DV-T1-E3和SI3993DV-T1-E3的区别

SI3993DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SI3911DV-T1-E3和SI3993DV-T1-GE3的区别