SI3981DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3981DV-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 1.6A 800mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

SI3981DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -1.90 A

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3981DV-T1-E3

型号： SI3981DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP

替代型号SI3981DV-T1-E3