SI4388DY-T1-E3

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SI4388DY-T1-E3概述

MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 30V 10.7A,11.3A 3.3W,3.5W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC


SI4388DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 946pF @15VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4388DY-T1-E3
型号: SI4388DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

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