SI1912EDH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1912EDH-T1-E3概述

SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13A, 20V, 6Pin SOT-363

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

**

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

**

* Telecom Bricks

* VRMs and POL

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

贸泽:
MOSFET 20V 1.28A

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6

SI1912EDH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.28 Ω

耗散功率 570 mW

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 570 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买SI1912EDH-T1-E3

型号： SI1912EDH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13A, 20V, 6Pin SOT-363

立即咨询

替代型号SI1912EDH-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1912EDH-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1988DH-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1912EDH-T1-E3和SI1988DH-T1-E3的区别
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1912EDH-T1-E3和SI1922EDH-T1-GE3的区别
FDG1024NZ 安森美	功能相似	SI1912EDH-T1-E3和FDG1024NZ的区别