SI1016X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1016X-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 485mA SOT563F

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 485mA，370mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1016X-T1-GE3

SI1016X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids 600 mA

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI1016X-T1-E3

型号： SI1016X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 485mA SOT563F

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