SI4500BDY-T1-E3

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SI4500BDY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 20V 6.6A,3.8A 1.3W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC


SI4500BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4500BDY-T1-E3
型号: SI4500BDY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
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SI4500BDY-T1-E3和SI4500BDY-T1-GE3的区别

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