SI1970DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1970DH-T1-E3概述

MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA922EDJ-T1-GE3

SI1970DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.25 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

输入电容Ciss 95pF @15VVds

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1970DH-T1-E3

型号： SI1970DH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6