SI4511DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4511DY-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 7.2A，4.6A 1.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

SI4511DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 14.5 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9.60 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4511DY-T1-E3

型号： SI4511DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

替代型号SI4511DY-T1-E3