SI1023X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1023X-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 370mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F

SI1023X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1023X-T1-E3

型号： SI1023X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F

替代型号SI1023X-T1-E3

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