SI1023CX-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1023CX-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 20V SC89-6

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V - 220mW 表面贴装型 SC-89（SOT-563F）

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V SC89-6

SI1023CX-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 45pF @10VVds

额定功率Max 220 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1023CX-T1-GE3

型号： SI1023CX-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V SC89-6