SI8900EDB-T2-E1

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SI8900EDB-T2-E1概述

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 5.4A 1W 表面贴装型 10-Micro Foot™ CSP(2x5)


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP


SI8900EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 UFBGA-10

外形尺寸

封装 UFBGA-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8900EDB-T2-E1
型号: SI8900EDB-T2-E1
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

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